（摘譯自德國商報、時代週報等報導）

第三代半導體材料碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）因具有能源效率高、低能耗、耐高壓、耐高溫等優點，隨著5G及電動車時代的來臨，其重要性日益提高。
 
一、查第三代半導體材料以碳化矽及氮化鎵為主：
（一）因碳化矽及氮化鎵相較於一般的矽與砷化鎵（俗稱為第一及二代半導體）的能隙（Energy gap）來的寬，因此在處理高電壓、高頻訊號的轉換或在高溫的情況下，較不易從絕緣變成導電，係屬穩定性高，能源轉換效率好的材質。
（二）其耐高電壓、高溫等優點使晶片面積可大幅縮小，簡化周邊電路設計且可減少冷卻系統的體積。
 
二、碳化矽及氮化鎵在應用領域上略有不同：
（一）氮化鎵主要應用在電壓900V以下的範圍，如基地台、充電器或5G通訊效果等高頻產品。
（二）碳化矽則可應用在電壓高於1,200V的領域，如電動車及相關充電基礎設施、太陽能及離岸風力等能源發電設備。
 
三、另根據法國科技產業顧問公司（System Plus Consulting）表示，以碳化矽製造晶圓的優點多，惟仍需克服許多技術(目前仍以6吋為主)和成本過高的問題。因碳化矽長晶的速度較傳統矽來的慢，查傳統矽材料僅需3-4天即可製造200-300公分的晶棒，而碳化矽經7天的時間才能長晶2-5公分的高度，另因碳化矽材質較硬且脆，切割、研磨拋光難度高，因此較難生產。另查目前有關碳化矽基板的製造技術及材料皆由美日廠商掌握，如全球碳化矽龍頭Wolfspeed、美國II-VI及日本羅姆半導體(ROHM)。
 
 

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