半導體大廠 搶進PRAM

資料來源及時間:世界日報 02/29/2008 為因應科技快速變遷與尋找新的成長動能,包括英特爾(Intel)、意法半導體、三星電子與爾必達在內的晶片大廠,近來紛紛投資研發相變式隨機存取記憶體(PRAM)。 PRAM被視為新世代記憶晶片,和動態隨機存取記憶體(DRAM)一樣,具有資料傳輸快速的優點,且可在切斷電源後保存資料,功能類似手機和數位相機裡的NOR或NAND晶片。製造商面臨積體電路不斷縮小的技術障礙,也開始評估PRAM成為替代記憶晶片的可行性。 英特爾和意法半導體日前表示,已出貨原型樣品給使用相變記憶體技術的客戶,上周在西班牙巴塞隆納舉行的全球行動通訊大會上,兩家公司也展示內建PRAM晶片的手機。 英特爾與意法合資建立的Nu-monyx公司也對相變記憶體技術寄予厚望。英特爾快閃記憶體部門技術長達勒說:「從投資的角度而言,相變記憶體無疑是領先科技的首選。」 DRAM和NAND記憶體晶片全球製造龍頭三星電子,於2006年推出配備512Mb相變記憶體晶片的裝置。三星發言人說,公司計劃今年稍晚開始樣品出貨,並於明年下半年量產。 三星拒絕透露投入多少研發成本,僅表示以達到經濟規模與商品化為優先考量。 去年10月,南韓海力士半導體公司也和擁有PRAM核心專利的美國Onovyx公司,達成專利交互授權協議。海力士發言人裴民河(音譯)說,今年下半年公司將推出512Mb的原型樣品。 此外,日本爾必達去年也和台灣聯電公司完成協議,準備攜手開發晶片。爾必達將從2010年開始量產。 不過,分析師指出,要把PRAM的生產成本降到足以和傳統記憶晶片競爭將是一大考驗,可能還需要更多時間才能量產。